稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2012年
10期
1775-1779
,共5页
崔冬萌%贾锐%谢泉%赵珂杰
崔鼕萌%賈銳%謝泉%趙珂傑
최동맹%가예%사천%조가걸
掺杂Ru2Si3%电子结构%光学性质%第一性原理
摻雜Ru2Si3%電子結構%光學性質%第一性原理
참잡Ru2Si3%전자결구%광학성질%제일성원리
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大.Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数ε1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722.
採用基于密度汎函理論的第一性原理贗勢平麵波計算方法,結閤廣義梯度近似(GGA)對Ru2Si3摻入Mn的電子結構和光學性質進行瞭研究.計算結果錶明:摻入這種雜質使得Ru2Si3的晶胞體積均有所增大.Ru2Si3中摻入Mn時,Mn原子替換RuI位的Ru原子使得體繫處于穩定態,導電類型變為p型,靜態介電函數ε1(0)非常大,同時摺射率n0的值變化較大,達到瞭17.722.
채용기우밀도범함이론적제일성원리안세평면파계산방법,결합엄의제도근사(GGA)대Ru2Si3참입Mn적전자결구화광학성질진행료연구.계산결과표명:참입저충잡질사득Ru2Si3적정포체적균유소증대.Ru2Si3중참입Mn시,Mn원자체환RuI위적Ru원자사득체계처우은정태,도전류형변위p형,정태개전함수ε1(0)비상대,동시절사솔n0적치변화교대,체도료17.722.
