半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
8期
1044-1047
,共4页
毛凌锋%卫建林%穆甫臣%谭长华%许铭真
毛凌鋒%衛建林%穆甫臣%譚長華%許銘真
모릉봉%위건림%목보신%담장화%허명진
镜像势%直接隧穿%MOS
鏡像勢%直接隧穿%MOS
경상세%직접수천%MOS
随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式．镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大，但是随着栅氧化层厚度的减小而减小．
隨著器件呎吋的不斷減小，直接隧穿電流將代替FN電流而成為影響器件可靠性的主要因素．數值求解的結果錶明：鏡像勢引起的勢壘降低對超薄柵MOS直接隧穿電流有較大的影響．利用WKB近似方法，穫得瞭鏡像勢對直接隧穿電流影響的定性錶達式．鏡像勢對直接隧穿電流的影響隨著柵電壓的減小而增大，但是隨著柵氧化層厚度的減小而減小．
수착기건척촌적불단감소，직접수천전류장대체FN전류이성위영향기건가고성적주요인소．수치구해적결과표명：경상세인기적세루강저대초박책MOS직접수천전류유교대적영향．이용WKB근사방법，획득료경상세대직접수천전류영향적정성표체식．경상세대직접수천전류적영향수착책전압적감소이증대，단시수착책양화층후도적감소이감소．
