高能物理与核物理
高能物理與覈物理
고능물리여핵물리
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS
2004年
9期
1013-1016
,共4页
刘昌龙%E.Ntsoenzok%D.Alquier
劉昌龍%E.Ntsoenzok%D.Alquier
류창룡%E.Ntsoenzok%D.Alquier
单晶Si He离子和Si离子注入 H等离子体处理 空腔 透射电镜
單晶Si He離子和Si離子註入 H等離子體處理 空腔 透射電鏡
단정Si He리자화Si리자주입 H등리자체처리 공강 투사전경
室温下首先采用160keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016ions/cm2,部分样品再接受80keV Si离子辐照到较高的剂量5×1015ions/cm2或接受高密度H等离子体处理.应用透射电镜观测分析了800℃高温退火引起的空腔的形成形貌.结果表明,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长.就Si离子附加辐照而言,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷,因此,它会抑制空腔的生长,而高密度H等离子体处理则有助于空腔的生长.定性地讨论了实验结果.
室溫下首先採用160keV He離子註入單晶Si樣品到劑量5×1016ions/cm2,部分樣品再接受80keV Si離子輻照到較高的劑量5×1015ions/cm2或接受高密度H等離子體處理.應用透射電鏡觀測分析瞭800℃高溫退火引起的空腔的形成形貌.結果錶明,附加Si離子輻照或H等離子體處理會影響Si中空腔的生長.就Si離子附加輻照而言,由于輻照引入富餘的間隙子型缺陷,因此,它會抑製空腔的生長,而高密度H等離子體處理則有助于空腔的生長.定性地討論瞭實驗結果.
실온하수선채용160keV He리자주입단정Si양품도제량5×1016ions/cm2,부분양품재접수80keV Si리자복조도교고적제량5×1015ions/cm2혹접수고밀도H등리자체처리.응용투사전경관측분석료800℃고온퇴화인기적공강적형성형모.결과표명,부가Si리자복조혹H등리자체처리회영향Si중공강적생장.취Si리자부가복조이언,유우복조인입부여적간극자형결함,인차,타회억제공강적생장,이고밀도H등리자체처리칙유조우공강적생장.정성지토론료실험결과.
