微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
1期
87-89
,共3页
LDMOS%RESURF%高压%运算放大器
LDMOS%RESURF%高壓%運算放大器
LDMOS%RESURF%고압%운산방대기
使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(＞80 dB)的CMOS运算放大器.模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能.该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成.
使用專門設計的LDMOS高壓器件,實現瞭一箇具有高壓驅動能力(±150 V)和大增益(＞80 dB)的CMOS運算放大器.模擬結果顯示,N溝道和P溝道LDMOS晶體管的最大擊穿電壓都超過瞭320 V,高壓隔離超過300 V,從而可以確保其高壓放大功能.該運算放大器適用于數字通信,如程控交換機中的高壓驅動電路的單片集成.
사용전문설계적LDMOS고압기건,실현료일개구유고압구동능력(±150 V)화대증익(＞80 dB)적CMOS운산방대기.모의결과현시,N구도화P구도LDMOS정체관적최대격천전압도초과료320 V,고압격리초과300 V,종이가이학보기고압방대공능.해운산방대기괄용우수자통신,여정공교환궤중적고압구동전로적단편집성.
