光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
2期
171-174
,共4页
时玉萌%邓振波%徐登辉%肖静
時玉萌%鄧振波%徐登輝%肖靜
시옥맹%산진파%서등휘%초정
有机电致发光器件(OLED)%载流子%空穴注入%器件的性能
有機電緻髮光器件(OLED)%載流子%空穴註入%器件的性能
유궤전치발광기건(OLED)%재류자%공혈주입%기건적성능
将N,N'-bis-(1-naphthy1)-N,N'-dipheny-1,1'bipheny1 4,4'-diamine(NPB)与bathocuproine(BCP)2种材料以交叠沉积方式组成一种周期性结构作为空穴注入层,制备了结构为ITO/[NPB/BCP]n/AlQ/LiF/Al的有机电致发光器件(OLED).通过改变空穴注入层阱状结构的重复周期数n,可改变载流子复合区域,进而获得近白光和绿光发射.由于该结构能获得更好的载流子注入平衡,具有交叠结构空穴注入层的近白光器件在15 V时亮度达到3 433.8 cd/m2,在电流密度为60.9 mA/cm2时最大发光效率为2.26 cd/A.当周期数n大于3时得到绿光发射,与单空穴注入层ITO/NPB/AlQ/LiF/Al器件相比,交叠空穴注入层可将器件的最大亮度由2 512.8 cd/m2提高到866 1.0 cd/m2,最大亮度效率在20 mA/cm2时达到4.94 cd/A.
將N,N'-bis-(1-naphthy1)-N,N'-dipheny-1,1'bipheny1 4,4'-diamine(NPB)與bathocuproine(BCP)2種材料以交疊沉積方式組成一種週期性結構作為空穴註入層,製備瞭結構為ITO/[NPB/BCP]n/AlQ/LiF/Al的有機電緻髮光器件(OLED).通過改變空穴註入層阱狀結構的重複週期數n,可改變載流子複閤區域,進而穫得近白光和綠光髮射.由于該結構能穫得更好的載流子註入平衡,具有交疊結構空穴註入層的近白光器件在15 V時亮度達到3 433.8 cd/m2,在電流密度為60.9 mA/cm2時最大髮光效率為2.26 cd/A.噹週期數n大于3時得到綠光髮射,與單空穴註入層ITO/NPB/AlQ/LiF/Al器件相比,交疊空穴註入層可將器件的最大亮度由2 512.8 cd/m2提高到866 1.0 cd/m2,最大亮度效率在20 mA/cm2時達到4.94 cd/A.
장N,N'-bis-(1-naphthy1)-N,N'-dipheny-1,1'bipheny1 4,4'-diamine(NPB)여bathocuproine(BCP)2충재료이교첩침적방식조성일충주기성결구작위공혈주입층,제비료결구위ITO/[NPB/BCP]n/AlQ/LiF/Al적유궤전치발광기건(OLED).통과개변공혈주입층정상결구적중복주기수n,가개변재류자복합구역,진이획득근백광화록광발사.유우해결구능획득경호적재류자주입평형,구유교첩결구공혈주입층적근백광기건재15 V시량도체도3 433.8 cd/m2,재전류밀도위60.9 mA/cm2시최대발광효솔위2.26 cd/A.당주기수n대우3시득도록광발사,여단공혈주입층ITO/NPB/AlQ/LiF/Al기건상비,교첩공혈주입층가장기건적최대량도유2 512.8 cd/m2제고도866 1.0 cd/m2,최대량도효솔재20 mA/cm2시체도4.94 cd/A.
