半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
3期
465-469
,共5页
马子文%汤自荣%廖广兰%史铁林
馬子文%湯自榮%廖廣蘭%史鐵林
마자문%탕자영%료엄란%사철림
直接键合%微观粗糙度%JKR接触理论
直接鍵閤%微觀粗糙度%JKR接觸理論
직접건합%미관조조도%JKR접촉이론
根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把硅片键合分为三种类型:硅片直接键合(α>1.065);在外压力作用下键合(0.57<α<1.065)和有空洞产生的键合(α<0.57).实验数据与理论结果吻合得很好.
根據JKR接觸理論,推導齣晶片直接鍵閤時晶片接觸錶麵粗糙度需要滿足的條件,其中晶片接觸錶麵粗糙度的描述是基于縫隙長度和縫隙高度的正絃波模型.分析結果錶明,晶片直接鍵閤的條件與無量綱參數α有關.以硅片鍵閤為例,根據參數α可以把硅片鍵閤分為三種類型:硅片直接鍵閤(α>1.065);在外壓力作用下鍵閤(0.57<α<1.065)和有空洞產生的鍵閤(α<0.57).實驗數據與理論結果吻閤得很好.
근거JKR접촉이론,추도출정편직접건합시정편접촉표면조조도수요만족적조건,기중정편접촉표면조조도적묘술시기우봉극장도화봉극고도적정현파모형.분석결과표명,정편직접건합적조건여무량강삼수α유관.이규편건합위례,근거삼수α가이파규편건합분위삼충류형:규편직접건합(α>1.065);재외압력작용하건합(0.57<α<1.065)화유공동산생적건합(α<0.57).실험수거여이론결과문합득흔호.