光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2008年
2期
246-248
,共3页
陈恩光%衣立新%王申伟%刘尧平%苏梦蟾%唐莹%王永生
陳恩光%衣立新%王申偉%劉堯平%囌夢蟾%唐瑩%王永生
진은광%의립신%왕신위%류요평%소몽섬%당형%왕영생
超晶格%硅纳米晶%氢钝化
超晶格%硅納米晶%氫鈍化
초정격%규납미정%경둔화
通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构.随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015 cm-2两种剂量的H+.通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度.研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的.
通過熱蒸髮方法在單晶硅襯底上沉積瞭SiO/SiO2超晶格樣品,在氮氣保護下對樣品進行高溫退火,得到硅納米晶/SiO2超晶格結構.隨後將該結構樣品分彆註入3.0×1014和3.0×1015 cm-2兩種劑量的H+.通過對樣品的光緻髮光光譜的分析髮現,H+註入後未經過二次退火的樣品髮光彊度急劇下降;二次退火後的樣品,隨著退火溫度的升高,髮光彊度逐漸增彊;註入足夠劑量的H+,其髮光彊度可以遠遠超過未註入時的髮光彊度.研究錶明,樣品髮光彊度的變化取決于樣品內部缺陷麵密度的改變,而缺陷麵密度是由氫離子的註入劑量和註入後再退火的溫度等因素決定的.
통과열증발방법재단정규츤저상침적료SiO/SiO2초정격양품,재담기보호하대양품진행고온퇴화,득도규납미정/SiO2초정격결구.수후장해결구양품분별주입3.0×1014화3.0×1015 cm-2량충제량적H+.통과대양품적광치발광광보적분석발현,H+주입후미경과이차퇴화적양품발광강도급극하강;이차퇴화후적양품,수착퇴화온도적승고,발광강도축점증강;주입족구제량적H+,기발광강도가이원원초과미주입시적발광강도.연구표명,양품발광강도적변화취결우양품내부결함면밀도적개변,이결함면밀도시유경리자적주입제량화주입후재퇴화적온도등인소결정적.
