半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
6期
560-562
,共3页
卜建辉%刘梦新%胡爱斌%韩郑生
蔔建輝%劉夢新%鬍愛斌%韓鄭生
복건휘%류몽신%호애빈%한정생
绝缘体上硅%总剂量效应%沟道长度%辐照%阈值电压漂移
絕緣體上硅%總劑量效應%溝道長度%輻照%閾值電壓漂移
절연체상규%총제량효응%구도장도%복조%역치전압표이
为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISE TCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟.模拟结果表明,随着沟道长度的减小,背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大,并且漂移量和辐照偏置密切相关,称此效应为SOI器件的增强短沟道效应.以短沟道效应理论为基础对此效应的机理进行了解释,并以短沟道效应模型为基础对此效应提出了一个简洁的阈值电压漂移模型,通过对ISE模拟结果进行曲线拟合对所提出的模型进行了验证.
為瞭探索SOI器件總劑量輻照後閾值電壓漂移量和溝道長度的關繫,利用器件模擬軟件ISE TCAD,對不同溝道長度的PDSOI NMOS管進行瞭總劑量輻照模擬.模擬結果錶明,隨著溝道長度的減小,揹溝道MOS管閾值電壓漂移越來越大,併且漂移量和輻照偏置密切相關,稱此效應為SOI器件的增彊短溝道效應.以短溝道效應理論為基礎對此效應的機理進行瞭解釋,併以短溝道效應模型為基礎對此效應提齣瞭一箇簡潔的閾值電壓漂移模型,通過對ISE模擬結果進行麯線擬閤對所提齣的模型進行瞭驗證.
위료탐색SOI기건총제량복조후역치전압표이량화구도장도적관계,이용기건모의연건ISE TCAD,대불동구도장도적PDSOI NMOS관진행료총제량복조모의.모의결과표명,수착구도장도적감소,배구도MOS관역치전압표이월래월대,병차표이량화복조편치밀절상관,칭차효응위SOI기건적증강단구도효응.이단구도효응이론위기출대차효응적궤리진행료해석,병이단구도효응모형위기출대차효응제출료일개간길적역치전압표이모형,통과대ISE모의결과진행곡선의합대소제출적모형진행료험증.
