中国稀土学报
中國稀土學報
중국희토학보
JOURNAL OF THE CHINESE RARE EARTH SOCIETY
2010年
3期
316-321
,共6页
李艳花%傅毛生%危亮华%周雪珍%周新木%李永绣
李豔花%傅毛生%危亮華%週雪珍%週新木%李永繡
리염화%부모생%위량화%주설진%주신목%리영수
纳米CeO2粉体%化学机械抛光%材料去除速率%硅晶片%稀土
納米CeO2粉體%化學機械拋光%材料去除速率%硅晶片%稀土
납미CeO2분체%화학궤계포광%재료거제속솔%규정편%희토
以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征.采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响.确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%.此时的抛光速率为61.1 nm·min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148nm.
以硝痠鈰為原料,十二烷基苯磺痠鈉為分散劑,過氧化氫為氧化劑,氨水為沉澱劑,採用直接沉澱法製備瞭粒徑分佈均勻的納米氧化鈰粉體,併通過XRD,TEM等手段對粉體進行瞭錶徵.採用所製備的氧化鈰粉體配置成拋光漿料對硅片進行拋光,研究瞭漿料pH值、固含量及過氧化氫濃度對n型半導體硅晶片(111)晶麵拋光性能的影響.確定瞭最佳的拋光條件為:pH值10.5,含固量為0.5%,過氧化氫體積分數為1.5%.此時的拋光速率為61.1 nm·min-1,所拋光的硅晶片的錶麵粗糙度為0.148nm.
이초산시위원료,십이완기분광산납위분산제,과양화경위양화제,안수위침정제,채용직접침정법제비료립경분포균균적납미양화시분체,병통과XRD,TEM등수단대분체진행료표정.채용소제비적양화시분체배치성포광장료대규편진행포광,연구료장료pH치、고함량급과양화경농도대n형반도체규정편(111)정면포광성능적영향.학정료최가적포광조건위:pH치10.5,함고량위0.5%,과양화경체적분수위1.5%.차시적포광속솔위61.1 nm·min-1,소포광적규정편적표면조조도위0.148nm.
