科技通报
科技通報
과기통보
BULLETIN OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
2期
258-262,267
,共6页
许生根%张海鹏%齐瑞生%陈波
許生根%張海鵬%齊瑞生%陳波
허생근%장해붕%제서생%진파
微电子学与固体电子学%双槽栅%SOI LDMOS%电学特性%制造方法
微電子學與固體電子學%雙槽柵%SOI LDMOS%電學特性%製造方法
미전자학여고체전자학%쌍조책%SOI LDMOS%전학특성%제조방법
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法.与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的占穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导.通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMOS器件不仅具有较好的电学性能,而且可以采用SOI CMOS工艺制造.
提齣瞭一種具有雙槽柵(DTG)SOI LDMOS新結構及其製造方法.與單槽柵(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的佔穿電壓,更低的通態電阻,更高的跨導.通過Silvaco TCAD對該結構進行瞭工藝倣真和器件電學特性模擬,結果錶明DTG SOI LDMOS器件不僅具有較好的電學性能,而且可以採用SOI CMOS工藝製造.
제출료일충구유쌍조책(DTG)SOI LDMOS신결구급기제조방법.여단조책(STG)SOI LDMOS상비,DTG SOI LDMOS구유경고적점천전압,경저적통태전조,경고적과도.통과Silvaco TCAD대해결구진행료공예방진화기건전학특성모의,결과표명DTG SOI LDMOS기건불부구유교호적전학성능,이차가이채용SOI CMOS공예제조.
