固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
517-521
,共5页
张健%张小玲%吕长志%佘烁杰
張健%張小玲%呂長誌%佘爍傑
장건%장소령%려장지%사삭걸
绝缘栅双极晶体管%热模型%空洞%可靠性
絕緣柵雙極晶體管%熱模型%空洞%可靠性
절연책쌍겁정체관%열모형%공동%가고성
根据IGBT的基本结构和工作原理,建立了一种新的IGBT三维热模型.该模型考虑了Si材料的温度特性,模拟研究了焊料层空洞对器件热稳定性的影响.研究表明焊料层空洞对IGBT器件的热稳定性有很大的影响.实测结果、超声波显微镜以及红外显微镜的扫描图片证实模拟结果.该研究结果对于改进IGBT器件的可靠性有一定意义,值得器件应用工程师、设计及工艺工程师参考.
根據IGBT的基本結構和工作原理,建立瞭一種新的IGBT三維熱模型.該模型攷慮瞭Si材料的溫度特性,模擬研究瞭銲料層空洞對器件熱穩定性的影響.研究錶明銲料層空洞對IGBT器件的熱穩定性有很大的影響.實測結果、超聲波顯微鏡以及紅外顯微鏡的掃描圖片證實模擬結果.該研究結果對于改進IGBT器件的可靠性有一定意義,值得器件應用工程師、設計及工藝工程師參攷.
근거IGBT적기본결구화공작원리,건립료일충신적IGBT삼유열모형.해모형고필료Si재료적온도특성,모의연구료한료층공동대기건열은정성적영향.연구표명한료층공동대IGBT기건적열은정성유흔대적영향.실측결과、초성파현미경이급홍외현미경적소묘도편증실모의결과.해연구결과대우개진IGBT기건적가고성유일정의의,치득기건응용공정사、설계급공예공정사삼고.
