光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2004年
8期
951-954
,共4页
蔡贝妮%陈松岩%曾明刚%蔡加法
蔡貝妮%陳鬆巖%曾明剛%蔡加法
채패니%진송암%증명강%채가법
多孔硅(PS)%湿法氧化%光致发光(PL)
多孔硅(PS)%濕法氧化%光緻髮光(PL)
다공규(PS)%습법양화%광치발광(PL)
在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径.首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响.实验发现,在电流密度1 mA/cm2,氧化液温度60 ℃,氧化时间为10 min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍.
在適噹條件下氧化多孔硅是提高多孔硅髮光彊度的良好途徑.首次採用含CH3CSNH2的HF痠水溶液作為氧化劑對初始多孔硅進行瞭濕法暘極氧化,大大改善瞭多孔硅的髮光彊度,併研究瞭氧化電流密度、氧化溫度、氧化時間等一繫列因素對氧化多孔硅光緻髮光彊度的影響.實驗髮現,在電流密度1 mA/cm2,氧化液溫度60 ℃,氧化時間為10 min的條件下,可以穫得最彊光緻髮光;在此最優條件下得到的氧化樣品較初始樣品髮光增彊瞭18倍.
재괄당조건하양화다공규시제고다공규발광강도적량호도경.수차채용함CH3CSNH2적HF산수용액작위양화제대초시다공규진행료습법양겁양화,대대개선료다공규적발광강도,병연구료양화전류밀도、양화온도、양화시간등일계렬인소대양화다공규광치발광강도적영향.실험발현,재전류밀도1 mA/cm2,양화액온도60 ℃,양화시간위10 min적조건하,가이획득최강광치발광;재차최우조건하득도적양화양품교초시양품발광증강료18배.
