SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究
SiGe/Si이질결결함적광치발광연구
Photoluminescence Studies on the Defects of SiGe/Si Heterojunction
  • 万方数据
    光散射学报 광산사학보
    CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
    2007年 3期 252-256 ,共5页

    郭丰%张静%龚敏%刘伦才%杨晨%谭开洲%石瑞英

    곽봉%장정%공민%류륜재%양신%담개주%석서영

    SiGe/Si异质结%PL光谱%位错%D-Band发光 SiGe/Si異質結%PL光譜%位錯%D-Band髮光
    SiGe/Si이질결%PL광보%위착%D-Band발광
    本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究.对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错.由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因此D1,D2很可能并不对应于相同的位错.通过进一步的分析,我们推测引起SiGe/Si异质结的PL光谱中D-Band的位错的微观结构很可能和Si-Si相关.
    본문용광치발광(PL)광보대Si0.87Ge0.13/Si이질결적결함진행료연구.대PL광보중여SiGe외연층응변치예산생적실배위착상관적D-Band진행료분석,발현응변치예동시재SiGe층화Si츤저중유생료위착.유우재PL광보중관찰도료D1이몰유관찰도D2,인차D1,D2흔가능병불대응우상동적위착.통과진일보적분석,아문추측인기SiGe/Si이질결적PL광보중D-Band적위착적미관결구흔가능화Si-Si상관.
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