微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
2期
83-86
,共4页
薛成山%陈金华%庄惠照%秦丽霞%李红%杨兆柱%王邹平
薛成山%陳金華%莊惠照%秦麗霞%李紅%楊兆柱%王鄒平
설성산%진금화%장혜조%진려하%리홍%양조주%왕추평
氮化镓%溅射%纳米棒%单晶%催化荆
氮化鎵%濺射%納米棒%單晶%催化荊
담화가%천사%납미봉%단정%최화형
使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃.氨化时间为15min.该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉.实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试.通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒.简单讨论了GaN纳米棒的生长机制.
使用一種新奇的稀土元素鋱(Tb)作催化劑,通過氨化磁控濺射在Si(111)襯底上的Ga2O3/Tb薄膜,閤成瞭大量的GaN納米棒,氨化溫度為950℃.氨化時間為15min.該方法可以進行持續閤成且製備的GaN納米棒純度較高、成本低廉.實驗後分彆用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)和X射線光電子能譜(XPS)對樣品進行瞭結構、錶麵形態和成分測試.通過XRD和XPS測試分析,閤成的納米棒具有六方纖鋅礦GaN結構;通過SEM、TEM和HRTEM觀察分析得齣閤成的納米棒為單晶GaN納米棒.簡單討論瞭GaN納米棒的生長機製.
사용일충신기적희토원소특(Tb)작최화제,통과안화자공천사재Si(111)츤저상적Ga2O3/Tb박막,합성료대량적GaN납미봉,안화온도위950℃.안화시간위15min.해방법가이진행지속합성차제비적GaN납미봉순도교고、성본저렴.실험후분별용소묘전자현미경(SEM)、X사선연사(XRD)、투사전자현미경(TEM)、고분변투사전자현미경(HRTEM)화X사선광전자능보(XPS)대양품진행료결구、표면형태화성분측시.통과XRD화XPS측시분석,합성적납미봉구유륙방섬자광GaN결구;통과SEM、TEM화HRTEM관찰분석득출합성적납미봉위단정GaN납미봉.간단토론료GaN납미봉적생장궤제.
