现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
12期
183-185,188
,共4页
PMOS管%准静态曲线%特性曲线%高频特性模型%变容模型
PMOS管%準靜態麯線%特性麯線%高頻特性模型%變容模型
PMOS관%준정태곡선%특성곡선%고빈특성모형%변용모형
为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型.选用Charted0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线.仿真与理论结果相比较表明:PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好.从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性.
為適應PMOS變容管在集成電路設計中的晶體管級倣真,在分析MOS變容管特性的基礎上,通過確定關鍵點、以麯線擬閤的方法建立與工藝參數相關的PMOS集成變容管高頻特性模型.選用Charted0.35μm這箇特定的工藝庫,併離散地改變電容連接的PMOS靜態偏壓、用HSpice倣真併對寄生電容提取後描繪齣變容特性的準靜態麯線;用Matlab對所建的簡化高頻變容模型進行倣真、得齣高頻變容麯線.倣真與理論結果相比較錶明:PMOS管變容特性麯線與理論麯線的變化趨勢吻閤;2種倣真對變容顯著區吻閤較好.從而證明瞭PMOS集成變容管高頻簡化模型的正確性.
위괄응PMOS변용관재집성전로설계중적정체관급방진,재분석MOS변용관특성적기출상,통과학정관건점、이곡선의합적방법건립여공예삼수상관적PMOS집성변용관고빈특성모형.선용Charted0.35μm저개특정적공예고,병리산지개변전용련접적PMOS정태편압、용HSpice방진병대기생전용제취후묘회출변용특성적준정태곡선;용Matlab대소건적간화고빈변용모형진행방진、득출고빈변용곡선.방진여이론결과상비교표명:PMOS관변용특성곡선여이론곡선적변화추세문합;2충방진대변용현저구문합교호.종이증명료PMOS집성변용관고빈간화모형적정학성.
