微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
2期
300-303
,共4页
氧空位%栅漏电流%深亚微米器件
氧空位%柵漏電流%深亞微米器件
양공위%책루전류%심아미미기건
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响.模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响.但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略.
描述瞭影響硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介紹瞭氧空位的概唸,分析計算瞭隨機氧空位對柵漏電流的影響.模擬結果錶明:噹氧空位在柵氧化層中隨機變化時,引起的柵漏電流的變化是在一定值附近上下波動;柵漏電流隨氧化層厚度的減小而增大,因此,在小呎吋器件中,必鬚攷慮氧空位對柵漏電流的影響.但噹厚度在特定值及特定電場下時,單箇氧空位引起的柵漏電流增加可以忽略.
묘술료영향규기건성능적이양화규중적결함,개소료양공위적개념,분석계산료수궤양공위대책루전류적영향.모의결과표명:당양공위재책양화층중수궤변화시,인기적책루전류적변화시재일정치부근상하파동;책루전류수양화층후도적감소이증대,인차,재소척촌기건중,필수고필양공위대책루전류적영향.단당후도재특정치급특정전장하시,단개양공위인기적책루전류증가가이홀략.
