半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
7期
657-661
,共5页
砷化镓%X射线光电子能谱%层结构%热退火
砷化鎵%X射線光電子能譜%層結構%熱退火
신화가%X사선광전자능보%층결구%열퇴화
利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600-675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫层,该层在自然情况下为富As的结构,经600℃以上的温度退火后,成为富Ga的结构.实验和计算发现该层的厚度和Ga的相对含量随退火温度增加而增大,即弛豫层中的Ga含量由53.4%变为62.1%,弛豫层厚度由1.3nm变为2.2nm.
利用變角X射線光電子能譜(XPS)及其層狀結構的計算程序分析和計算GaAs(100)在600-675℃熱退火處理後錶麵組分/深度的定量變化.在GaAs錶麵氧化物與襯底之間存在一過渡層,即弛豫層,該層在自然情況下為富As的結構,經600℃以上的溫度退火後,成為富Ga的結構.實驗和計算髮現該層的厚度和Ga的相對含量隨退火溫度增加而增大,即弛豫層中的Ga含量由53.4%變為62.1%,弛豫層厚度由1.3nm變為2.2nm.
이용변각X사선광전자능보(XPS)급기층상결구적계산정서분석화계산GaAs(100)재600-675℃열퇴화처리후표면조분/심도적정량변화.재GaAs표면양화물여츤저지간존재일과도층,즉이예층,해층재자연정황하위부As적결구,경600℃이상적온도퇴화후,성위부Ga적결구.실험화계산발현해층적후도화Ga적상대함량수퇴화온도증가이증대,즉이예층중적Ga함량유53.4%변위62.1%,이예층후도유1.3nm변위2.2nm.
