复旦学报(自然科学版)
複旦學報(自然科學版)
복단학보(자연과학판)
JOURNAL OF FUDAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2001年
1期
86-90
,共5页
何捷%朱臻%王涛%李梦雄%洪志良
何捷%硃臻%王濤%李夢雄%洪誌良
하첩%주진%왕도%리몽웅%홍지량
带隙基准源%温度补偿%温度系数(γTC)%电 源抑制比
帶隙基準源%溫度補償%溫度繫數(γTC)%電 源抑製比
대극기준원%온도보상%온도계수(γTC)%전 원억제비
介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源，采用了3.3 V，0.35 μm，N阱，CMOS工艺. 通 过Spectres和HSpice的仿真，它具有6×10-6 K-1的温度系数和2.2 mV/V的电 源抑制比.
介紹瞭一種用于集成電路內部的帶隙基準源，採用瞭3.3 V，0.35 μm，N阱，CMOS工藝. 通 過Spectres和HSpice的倣真，它具有6×10-6 K-1的溫度繫數和2.2 mV/V的電 源抑製比.
개소료일충용우집성전로내부적대극기준원，채용료3.3 V，0.35 μm，N정，CMOS공예. 통 과Spectres화HSpice적방진，타구유6×10-6 K-1적온도계수화2.2 mV/V적전 원억제비.
A bandgap reference is presented. It can work in input voltage of 3.3 V with 0.3 5 μm N-well CMOS technology. Simulation with Spectres and HSpice shows that th is bandgap reference can operate with temperature coefficient 6×10-6/K an d PSRR 2.2 mV/V.
