稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
1期
143-145
,共3页
晶圆%Al焊盘%金丝键合%氧化膜
晶圓%Al銲盤%金絲鍵閤%氧化膜
정원%Al한반%금사건합%양화막
在半导体制造工艺中,Al焊盘表面的氧化膜会阻碍金丝键合.针对某公司新半导体工艺中出现键合失效问题的芯片,采用SEM,EDS和AES对切片前后的芯片进行了分析.结果发现,切片前后Al焊盘表面的元素成分基本一致,可以认为清洗工艺对金丝键合基本没有影响,它不是导致金丝键合失效的原因;通过AES对焊盘进行深度剖析,在深度接近Al焊盘高度的一半时,氧的含量仍然高达40%左右,如此高含量的氧已经足以将Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻碍了金丝键合所必需的金属连接和扩散过程,从而导致键合质量差,甚至无法实现键合.
在半導體製造工藝中,Al銲盤錶麵的氧化膜會阻礙金絲鍵閤.針對某公司新半導體工藝中齣現鍵閤失效問題的芯片,採用SEM,EDS和AES對切片前後的芯片進行瞭分析.結果髮現,切片前後Al銲盤錶麵的元素成分基本一緻,可以認為清洗工藝對金絲鍵閤基本沒有影響,它不是導緻金絲鍵閤失效的原因;通過AES對銲盤進行深度剖析,在深度接近Al銲盤高度的一半時,氧的含量仍然高達40%左右,如此高含量的氧已經足以將Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻礙瞭金絲鍵閤所必需的金屬連接和擴散過程,從而導緻鍵閤質量差,甚至無法實現鍵閤.
재반도체제조공예중,Al한반표면적양화막회조애금사건합.침대모공사신반도체공예중출현건합실효문제적심편,채용SEM,EDS화AES대절편전후적심편진행료분석.결과발현,절편전후Al한반표면적원소성분기본일치,가이인위청세공예대금사건합기본몰유영향,타불시도치금사건합실효적원인;통과AES대한반진행심도부석,재심도접근Al한반고도적일반시,양적함량잉연고체40%좌우,여차고함량적양이경족이장Al완전양화,기소형성적양화막조애료금사건합소필수적금속련접화확산과정,종이도치건합질량차,심지무법실현건합.
