压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2007年
1期
83-86
,共4页
郑泽渔%张树人%杨成韬%钟朝位%董加和%孙明霞%刘敬松
鄭澤漁%張樹人%楊成韜%鐘朝位%董加和%孫明霞%劉敬鬆
정택어%장수인%양성도%종조위%동가화%손명하%류경송
射频磁控溅射%氧化锌薄膜%射频功率%氧氢比(V(O2)/V(Ar))%衬底温度%声表面波器件
射頻磁控濺射%氧化鋅薄膜%射頻功率%氧氫比(V(O2)/V(Ar))%襯底溫度%聲錶麵波器件
사빈자공천사%양화자박막%사빈공솔%양경비(V(O2)/V(Ar))%츤저온도%성표면파기건
研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响.利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律.利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz.
研究瞭採用射頻磁控濺射法在SiO2/Si襯底上製備ZnO薄膜工藝中濺射功率、氧氬比(V(O2)/V(Ar))及襯底溫度對ZnO薄膜結構的影響.利用X-射線衍射(XRD)和掃描力顯微鏡(AFM)對薄膜進行結構性能分析,錶明其結構性能隨工藝參數變化的規律.利用優化的工藝條件:射頻功率60 W、V(O2)/V(Ar)為0.55和襯底溫度350℃,在DLC/Si襯底上製備瞭ZnO薄膜,製作加工成聲錶麵波濾波器件,測試分析瞭頻率響應特性,中心頻率為596.5 MHz.
연구료채용사빈자공천사법재SiO2/Si츤저상제비ZnO박막공예중천사공솔、양아비(V(O2)/V(Ar))급츤저온도대ZnO박막결구적영향.이용X-사선연사(XRD)화소묘력현미경(AFM)대박막진행결구성능분석,표명기결구성능수공예삼수변화적규률.이용우화적공예조건:사빈공솔60 W、V(O2)/V(Ar)위0.55화츤저온도350℃,재DLC/Si츤저상제비료ZnO박막,제작가공성성표면파려파기건,측시분석료빈솔향응특성,중심빈솔위596.5 MHz.
