固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
87-90
,共4页
林巧明%郭霞%梁庭%顾晓玲%郭晶%沈光地
林巧明%郭霞%樑庭%顧曉玲%郭晶%瀋光地
림교명%곽하%량정%고효령%곽정%침광지
铟镓氮%欧姆接触%环形传输线%极化
銦鎵氮%歐姆接觸%環形傳輸線%極化
인가담%구모접촉%배형전수선%겁화
通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差.
通過對不同厚度的p-InGaN樣品進行環形傳輸線歐姆接觸實驗,髮現p-InGaN與Ni/Au的比接觸電阻隨InGaN層厚度的增大而增大,且噹InGaN層的厚度小于某一特定值時,其比接觸電阻低于p-GaN與Ni/Au的歐姆比接觸電阻,通過分析認為這是由InGaN層的極化效應導緻接觸勢壘降低和載流子隧穿幾率增大造成的,但同時受樣品錶麵形貌和InN本身固有的積纍電子層的特性影響,噹InGaN層的厚度超過這一特定值後其接觸特性反而比p-GaN差.
통과대불동후도적p-InGaN양품진행배형전수선구모접촉실험,발현p-InGaN여Ni/Au적비접촉전조수InGaN층후도적증대이증대,차당InGaN층적후도소우모일특정치시,기비접촉전조저우p-GaN여Ni/Au적구모비접촉전조,통과분석인위저시유InGaN층적겁화효응도치접촉세루강저화재류자수천궤솔증대조성적,단동시수양품표면형모화InN본신고유적적루전자층적특성영향,당InGaN층적후도초과저일특정치후기접촉특성반이비p-GaN차.
