固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
2期
192-194,286
,共4页
连续波%硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管%多层复合栅
連續波%硅-垂直雙擴散金屬氧化物場效應晶體管%多層複閤柵
련속파%규-수직쌍확산금속양화물장효응정체관%다층복합책
报道了530～650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果.该器件采用polySi/WN/Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻,采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容,采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率,全离子注入自对准工艺等技术,在上述频带内,连续波,28 V工作电压下,静态电流50 mA,该器件输出功率达20 W,效率达49%,增益大于7.5 dB.
報道瞭530～650 MHz 20W連續波Si-VDMOS場效應晶體管的研製結果.該器件採用polySi/WN/Au的多層複閤柵技術降低柵串聯電阻,採用柵下場氧化墊高技術降低反饋電容,採用穿通型硅外延材料優化導通電阻提高器件工作效率,全離子註入自對準工藝等技術,在上述頻帶內,連續波,28 V工作電壓下,靜態電流50 mA,該器件輸齣功率達20 W,效率達49%,增益大于7.5 dB.
보도료530～650 MHz 20W련속파Si-VDMOS장효응정체관적연제결과.해기건채용polySi/WN/Au적다층복합책기술강저책천련전조,채용책하장양화점고기술강저반궤전용,채용천통형규외연재료우화도통전조제고기건공작효솔,전리자주입자대준공예등기술,재상술빈대내,련속파,28 V공작전압하,정태전류50 mA,해기건수출공솔체20 W,효솔체49%,증익대우7.5 dB.
