现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
14期
7-9,13
,共4页
牛宗超%杨发顺%丁召%王基石%马奎%张正平
牛宗超%楊髮順%丁召%王基石%馬奎%張正平
우종초%양발순%정소%왕기석%마규%장정평
带隙基准源%温度系数%动态反馈补偿%CMOS
帶隙基準源%溫度繫數%動態反饋補償%CMOS
대극기준원%온도계수%동태반궤보상%CMOS
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5～10 V.利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路.使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB.该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域.
提齣一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源,工作電壓為5～10 V.利用飽和態MOS管的等效電阻特性,對PTAT基準電流進行動態電流反饋補償,設計瞭一種輸齣電壓為1.3 V的帶隙基準電路.使輸齣基準電壓溫度繫數在-25～+120℃範圍的溫度繫數為7.427 ppm/℃,在27℃時電源電壓抑製比達82 dB.該基準源的芯片版圖麵積為0.022 mm2,適用于低壓差線性穩壓器等領域.
제출일충표준CMOS공예결구적저압、저공모전압기준원,공작전압위5～10 V.이용포화태MOS관적등효전조특성,대PTAT기준전류진행동태전류반궤보상,설계료일충수출전압위1.3 V적대극기준전로.사수출기준전압온도계수재-25～+120℃범위적온도계수위7.427 ppm/℃,재27℃시전원전압억제비체82 dB.해기준원적심편판도면적위0.022 mm2,괄용우저압차선성은압기등영역.
