MOCVD法制备ZnO同质发光二极管
MOCVD법제비ZnO동질발광이겁관
Fabrication of ZnO Light-Emitting Diode by Using MOCVD Method
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 11期 2264-2266 ,共3页

    叶志镇%徐伟中%曾昱嘉%江柳%赵炳辉%朱丽萍%吕建国%黄靖云%汪雷%李先杭

    협지진%서위중%증욱가%강류%조병휘%주려평%려건국%황정운%왕뢰%리선항

    ZnO%LED%p型掺杂%金属有机化学气相沉积 ZnO%LED%p型摻雜%金屬有機化學氣相沉積
    ZnO%LED%p형참잡%금속유궤화학기상침적
    在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
    재n형ZnO체단정편상,수차채용N등리자체보조금속유궤화학기상침적방법외연생장료p형ZnO박막,제성료동질ZnO적발광이겁관(LED)원형기건;재실온하,관찰도동질ZnO적LED시가전압후유전주입격발출자외지록광파단적광보.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문