CAJ | 학술논문

万方数据

中国科学技术大学学报 중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2007年 4期 539-543 ,共5页

史同飞%朱三元%吴文清%张国斌%闫文盛%孙治湖%刘文汉%韦世强

사동비%주삼원%오문청%장국빈%염문성%손치호%류문한%위세강

XAFS%Zn1-xCoxO稀磁半导体%溶胶-凝胶法 XAFS%Zn1-xCoxO稀磁半導體%溶膠-凝膠法
XAFS%Zn1-xCoxO희자반도체%용효-응효법

利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.
이용XAFS기술연구용효-응효법제비적Zn1-xCoxO희자반도체재료결구수Co함량(x)적변화.결과표명재저함량적Co참잡ZnO(x=0.02,0.05)시Co2+리자완전진입ZnO정격중,체대료Zn2+리자,병차조성료Co2+리자주위국역결구적팽창.당Co적함량x증가도0.10혹경고시,지유일부분적Co2+리자진입정격,잉여적Co2+화Co3+석출정격형성Co3O4상.