固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
4期
507-509,517
,共4页
张雪锋%季红兵%邱云贞%王志亮%黄静%张振娟%徐静平
張雪鋒%季紅兵%邱雲貞%王誌亮%黃靜%張振娟%徐靜平
장설봉%계홍병%구운정%왕지량%황정%장진연%서정평
P沟锗基场金属-氯化物-半导体场效应晶体管%高介电常数介质%氮化铪界面层
P溝鍺基場金屬-氯化物-半導體場效應晶體管%高介電常數介質%氮化鉿界麵層
P구타기장금속-록화물-반도체장효응정체관%고개전상수개질%담화협계면층
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件.与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率.因此利用HfON作为Ge MoS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义.
通過在高k介質和Ge錶麵引入一層超薄HfN界麵層,實驗製備瞭HfO2/HfON疊層柵介質Ge MOS器件.與沒有界麵層的樣品相比,HfO2/HfON疊層柵介質MOSFET錶現齣低的界麵態密度、低的柵極漏電和高有效遷移率.因此利用HfON作為Ge MoS器件的界麵鈍化層對于穫得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界麵質量有著重要的意義.
통과재고k개질화Ge표면인입일층초박HfN계면층,실험제비료HfO2/HfON첩층책개질Ge MOS기건.여몰유계면층적양품상비,HfO2/HfON첩층책개질MOSFET표현출저적계면태밀도、저적책겁루전화고유효천이솔.인차이용HfON작위Ge MoS기건적계면둔화층대우획득소적등효양화물후도화고적high-k/Ge계면질량유착중요적의의.
