电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
3期
36-39
,共4页
王海珍%康雪雅%贾素兰%韩英
王海珍%康雪雅%賈素蘭%韓英
왕해진%강설아%가소란%한영
NTC%热敏电阻%Si掺杂%尖晶石%电性能
NTC%熱敏電阻%Si摻雜%尖晶石%電性能
NTC%열민전조%Si참잡%첨정석%전성능
采用传统陶瓷工艺制备了Mn<,1.05-x>Co<,0.92>Ni<0.03,>Si<,x>O<,4>(O≤x≤<,0.05>)系列NTC热敏电阻样品,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Si掺杂量对样品相结构和电性能的影响.结果表明:当0≤x≤0.03时,样品为尖晶石立方相和四方相的固溶体,室温电阻率р<,25>和B<,25/50>值均随着Si掺杂量的增加而增加;当0.03<x≤0.05时,样品为尖晶石立方相,р<,25>和B<,25/50>值均随着si掺杂量的增加而降低.当x=0.03时,在1373 K烧结获得的样品电性能较好:р<,25>=79 501 Ω·cm,B<,25/50>=4142K.
採用傳統陶瓷工藝製備瞭Mn<,1.05-x>Co<,0.92>Ni<0.03,>Si<,x>O<,4>(O≤x≤<,0.05>)繫列NTC熱敏電阻樣品,藉用XRD、SEM和電性能測試等手段,研究瞭Si摻雜量對樣品相結構和電性能的影響.結果錶明:噹0≤x≤0.03時,樣品為尖晶石立方相和四方相的固溶體,室溫電阻率р<,25>和B<,25/50>值均隨著Si摻雜量的增加而增加;噹0.03<x≤0.05時,樣品為尖晶石立方相,р<,25>和B<,25/50>值均隨著si摻雜量的增加而降低.噹x=0.03時,在1373 K燒結穫得的樣品電性能較好:р<,25>=79 501 Ω·cm,B<,25/50>=4142K.
채용전통도자공예제비료Mn<,1.05-x>Co<,0.92>Ni<0.03,>Si<,x>O<,4>(O≤x≤<,0.05>)계렬NTC열민전조양품,차용XRD、SEM화전성능측시등수단,연구료Si참잡량대양품상결구화전성능적영향.결과표명:당0≤x≤0.03시,양품위첨정석립방상화사방상적고용체,실온전조솔р<,25>화B<,25/50>치균수착Si참잡량적증가이증가;당0.03<x≤0.05시,양품위첨정석립방상,р<,25>화B<,25/50>치균수착si참잡량적증가이강저.당x=0.03시,재1373 K소결획득적양품전성능교호:р<,25>=79 501 Ω·cm,B<,25/50>=4142K.
