原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
8期
1005-1010
,共6页
黎淼%肖沙里%王玺%曹玉琳%陈宇晓%沈敏%张流强
黎淼%肖沙裏%王璽%曹玉琳%陳宇曉%瀋敏%張流彊
려묘%초사리%왕새%조옥림%진우효%침민%장류강
辐射成像探测%半导体探测器%CdZnTe%极化效应%像素阵列
輻射成像探測%半導體探測器%CdZnTe%極化效應%像素陣列
복사성상탐측%반도체탐측기%CdZnTe%겁화효응%상소진렬
应用第一类边界条件泊松方程,推导了碲锌镉(CdZnTe)探测器晶体内部电势分布,研究了CdZnTe探测器在137 Cs高能γ源成像探测过程中的极化效应.数值计算与实验结果表明:在低辐射注量率条件下,即CdZnTe晶体内部载流子电荷密度较低时,内部电势分布主要受外加偏压影响,晶体内部电势与偏压为线性关系,电场呈均匀分布.在高辐射注量率条件下,即晶体内部载流子电荷密度较高时,内部电势分布出现极化区域,电场分布发生扭曲,电子载流子向辐照区域外侧迁移,形成辐照中心无信号而辐照边缘区域仍有响应信号的极化探测图像.极化效应造成CdZnTe探测器探测性能严重退化,辐照边缘区域像素事件计数下降约70％.
應用第一類邊界條件泊鬆方程,推導瞭碲鋅鎘(CdZnTe)探測器晶體內部電勢分佈,研究瞭CdZnTe探測器在137 Cs高能γ源成像探測過程中的極化效應.數值計算與實驗結果錶明:在低輻射註量率條件下,即CdZnTe晶體內部載流子電荷密度較低時,內部電勢分佈主要受外加偏壓影響,晶體內部電勢與偏壓為線性關繫,電場呈均勻分佈.在高輻射註量率條件下,即晶體內部載流子電荷密度較高時,內部電勢分佈齣現極化區域,電場分佈髮生扭麯,電子載流子嚮輻照區域外側遷移,形成輻照中心無信號而輻照邊緣區域仍有響應信號的極化探測圖像.極化效應造成CdZnTe探測器探測性能嚴重退化,輻照邊緣區域像素事件計數下降約70％.
응용제일류변계조건박송방정,추도료제자력(CdZnTe)탐측기정체내부전세분포,연구료CdZnTe탐측기재137 Cs고능γ원성상탐측과정중적겁화효응.수치계산여실험결과표명:재저복사주량솔조건하,즉CdZnTe정체내부재류자전하밀도교저시,내부전세분포주요수외가편압영향,정체내부전세여편압위선성관계,전장정균균분포.재고복사주량솔조건하,즉정체내부재류자전하밀도교고시,내부전세분포출현겁화구역,전장분포발생뉴곡,전자재류자향복조구역외측천이,형성복조중심무신호이복조변연구역잉유향응신호적겁화탐측도상.겁화효응조성CdZnTe탐측기탐측성능엄중퇴화,복조변연구역상소사건계수하강약70％.
