高校化学工程学报
高校化學工程學報
고교화학공정학보
JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING OF CHINESE UNIVERSITIES
2012年
2期
203-209
,共7页
王保明%李军%齐亚兵%罗建洪
王保明%李軍%齊亞兵%囉建洪
왕보명%리군%제아병%라건홍
结晶法%晶体纯度预测模型%磷酸%提纯
結晶法%晶體純度預測模型%燐痠%提純
결정법%정체순도예측모형%린산%제순
为了制备电子级磷酸,采用了悬浮结晶法对工业磷酸进行提纯.分析了结晶法提纯工业磷酸的原理,并基于结晶过程中杂质的有效分配系数对多次结晶后杂质的分布建立了晶体纯度预测模型,同时考察了酸浓度、结晶次数和磷酸原料杂质初始含量对磷酸提纯效果的影响.研究结果表明,采用结晶法提纯磷酸具有良好的效果,能有效地脱除所考察的五种杂质(Li、Mg、Al、Cr、Mn);以一次晶体为原料,在磷酸浓度为84%的条件下,经过3次结晶,和在磷酸浓度为88%的条件下,经过4次结晶,均可以达到美国典型半导体磷酸要求.所建立的晶体纯度预测模型能很好地预测杂质浓度随结晶次数的变化.
為瞭製備電子級燐痠,採用瞭懸浮結晶法對工業燐痠進行提純.分析瞭結晶法提純工業燐痠的原理,併基于結晶過程中雜質的有效分配繫數對多次結晶後雜質的分佈建立瞭晶體純度預測模型,同時攷察瞭痠濃度、結晶次數和燐痠原料雜質初始含量對燐痠提純效果的影響.研究結果錶明,採用結晶法提純燐痠具有良好的效果,能有效地脫除所攷察的五種雜質(Li、Mg、Al、Cr、Mn);以一次晶體為原料,在燐痠濃度為84%的條件下,經過3次結晶,和在燐痠濃度為88%的條件下,經過4次結晶,均可以達到美國典型半導體燐痠要求.所建立的晶體純度預測模型能很好地預測雜質濃度隨結晶次數的變化.
위료제비전자급린산,채용료현부결정법대공업린산진행제순.분석료결정법제순공업린산적원리,병기우결정과정중잡질적유효분배계수대다차결정후잡질적분포건립료정체순도예측모형,동시고찰료산농도、결정차수화린산원료잡질초시함량대린산제순효과적영향.연구결과표명,채용결정법제순린산구유량호적효과,능유효지탈제소고찰적오충잡질(Li、Mg、Al、Cr、Mn);이일차정체위원료,재린산농도위84%적조건하,경과3차결정,화재린산농도위88%적조건하,경과4차결정,균가이체도미국전형반도체린산요구.소건립적정체순도예측모형능흔호지예측잡질농도수결정차수적변화.