中国科学E辑
中國科學E輯
중국과학E집
SCIENCE IN CHINA (SERIES E)
2004年
11期
1300-1312
,共13页
艾斌%沈辉%班群%梁宗存%陈如龙%施正荣%廖显伯
艾斌%瀋輝%班群%樑宗存%陳如龍%施正榮%廖顯伯
애빈%침휘%반군%량종존%진여룡%시정영%료현백
颗粒硅带%晶体硅薄膜太阳电池%量子效率%暗特性
顆粒硅帶%晶體硅薄膜太暘電池%量子效率%暗特性
과립규대%정체규박막태양전지%양자효솔%암특성
为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素, 对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究. 结果表明, 颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度, 它不但增加了电池表面的漫反射, 也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松, 最终影响了减反射膜的陷光效果; 沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差, 较重的晶界复合限制了少子扩散长度, 使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏. 所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想, 电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响. 高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的, 低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的.
為瞭澄清限製所製備的顆粒硅帶上的晶體硅薄膜太暘電池效率的主要因素, 對製備在顆粒硅帶、經區鎔(ZMR)後的顆粒硅帶和單晶硅襯底上的外延晶體硅薄膜太暘電池進行瞭QE和Suns-Voc研究. 結果錶明, 顆粒硅帶上沉積的外延層的錶麵有一定的粗糙度, 它不但增加瞭電池錶麵的漫反射, 也使氮化硅減反射膜的結構變得疏鬆, 最終影響瞭減反射膜的陷光效果; 沉積在顆粒硅帶上的硅活性層的晶體質量也較差, 較重的晶界複閤限製瞭少子擴散長度, 使得製備在顆粒硅帶上的硅薄膜太暘電池在長波方嚮上的光譜響應明顯變壞. 所製備的晶體硅薄膜太暘電池的暗特性參數值均不理想, 電池性能尤其受到過高的暗飽和電流I02值和過低的併聯電阻Rsh值的嚴重影響. 高的I02值是由于結區硅活性層較差的晶體質量所導緻的嚴重的晶界複閤造成的, 低的Rsh值被歸結為電池經激光切割後未經鈍化的裸露的PN結及電池邊緣的漏電造成的.
위료징청한제소제비적과립규대상적정체규박막태양전지효솔적주요인소, 대제비재과립규대、경구용(ZMR)후적과립규대화단정규츤저상적외연정체규박막태양전지진행료QE화Suns-Voc연구. 결과표명, 과립규대상침적적외연층적표면유일정적조조도, 타불단증가료전지표면적만반사, 야사담화규감반사막적결구변득소송, 최종영향료감반사막적함광효과; 침적재과립규대상적규활성층적정체질량야교차, 교중적정계복합한제료소자확산장도, 사득제비재과립규대상적규박막태양전지재장파방향상적광보향응명현변배. 소제비적정체규박막태양전지적암특성삼수치균불이상, 전지성능우기수도과고적암포화전류I02치화과저적병련전조Rsh치적엄중영향. 고적I02치시유우결구규활성층교차적정체질량소도치적엄중적정계복합조성적, 저적Rsh치피귀결위전지경격광절할후미경둔화적라로적PN결급전지변연적루전조성적.
