半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1331-1334
,共4页
预氧化%氧化层%各向异性腐蚀%微粗糙度
預氧化%氧化層%各嚮異性腐蝕%微粗糙度
예양화%양화층%각향이성부식%미조조도
利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.
利用原子力顯微鏡研究瞭預氧化清洗工藝對清洗後的硅片錶麵微粗糙的影響,併通過建立錶麵氧化過程的分子模型和氧化層模型來進行相應的機理分析.結果錶明,硅片錶麵在含有氧化劑H2O2的溶液中生成一層氧化層後,能基本消除OH-對硅片錶麵的各嚮異性腐蝕,清洗後的錶麵微粗糙度比清洗前小,併且隨SC-1清洗過程中NH4OH濃度的增大而減小.
이용원자력현미경연구료예양화청세공예대청세후적규편표면미조조적영향,병통과건립표면양화과정적분자모형화양화층모형래진행상응적궤리분석.결과표명,규편표면재함유양화제H2O2적용액중생성일층양화층후,능기본소제OH-대규편표면적각향이성부식,청세후적표면미조조도비청세전소,병차수SC-1청세과정중NH4OH농도적증대이감소.
