半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
202-204
,共3页
段辉高%谢二庆%叶凡%王晓明
段輝高%謝二慶%葉凡%王曉明
단휘고%사이경%협범%왕효명
稀土金属硅化物%场发射%FN曲线
稀土金屬硅化物%場髮射%FN麯線
희토금속규화물%장발사%FN곡선
用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.
用金屬蒸髮真空弧離子註入方法製備瞭各種稀土金屬的硅化物,定義1μA/cm2時的電場為開啟電場,髮現它們的開啟電場在15～20V/μm之間.用電子束對其進行退火處理後,開啟電場降到10V/μm以下,而場髮射密度可以提高一箇數量級.它們良好的場髮射性能歸因于稀土金屬硅化物本身熱穩定性好,功函數低.用FN理論對場髮射的機理進行瞭分析,髮現其FN麯線明顯分成瞭兩段,這可能是因為在場髮射過程中引起的溫度效應.
용금속증발진공호리자주입방법제비료각충희토금속적규화물,정의1μA/cm2시적전장위개계전장,발현타문적개계전장재15～20V/μm지간.용전자속대기진행퇴화처리후,개계전장강도10V/μm이하,이장발사밀도가이제고일개수량급.타문량호적장발사성능귀인우희토금속규화물본신열은정성호,공함수저.용FN이론대장발사적궤리진행료분석,발현기FN곡선명현분성료량단,저가능시인위재장발사과정중인기적온도효응.
