微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
3期
417-420
,共4页
低噪声放大器%噪声系数%失配因子
低譟聲放大器%譟聲繫數%失配因子
저조성방대기%조성계수%실배인자
提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善.该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz.仿真表明,在电流消耗为300 μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB.
提齣瞭一種新型的低譟聲放大器,在輸入管的柵極加入一箇電容,使放大器的譟聲性能與增益都得到明顯的改善.該電路基于Chartered 0.18μm CMOS工藝設計,工作頻率為2.4GHz.倣真錶明,在電流消耗為300 μA的條件下,提齣的低譟聲放大器具有更好的譟聲繫數與增益,分彆比傳統的電感源極衰減低譟聲放大器改善1.9 dB與5.3 dB.
제출료일충신형적저조성방대기,재수입관적책겁가입일개전용,사방대기적조성성능여증익도득도명현적개선.해전로기우Chartered 0.18μm CMOS공예설계,공작빈솔위2.4GHz.방진표명,재전류소모위300 μA적조건하,제출적저조성방대기구유경호적조성계수여증익,분별비전통적전감원겁쇠감저조성방대기개선1.9 dB여5.3 dB.
