半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
12期
1941-1944
,共4页
何炜瑜%孙云%乔在祥%敖建平%王兴磊%李长健
何煒瑜%孫雲%喬在祥%敖建平%王興磊%李長健
하위유%손운%교재상%오건평%왕흥뢰%리장건
Cu(In1-xGax)Se2%太阳电池%并联电阻%晶界势垒%弱光
Cu(In1-xGax)Se2%太暘電池%併聯電阻%晶界勢壘%弱光
Cu(In1-xGax)Se2%태양전지%병련전조%정계세루%약광
对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数.采用数值逼近法,将得到的参数回归J-V方程,与测试结果符合较好.对不同光照强度下电池的特性参数进行计算,发现并联电阻随光照强度增加而降低,并分析了原因.
對Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太暘電池J-V特性麯線進行瞭測試和分析,採用Matlab軟件進行計算,得到電池的二極管品質因子、反嚮飽和電流密度、串聯電阻、併聯電阻等特性參數.採用數值逼近法,將得到的參數迴歸J-V方程,與測試結果符閤較好.對不同光照彊度下電池的特性參數進行計算,髮現併聯電阻隨光照彊度增加而降低,併分析瞭原因.
대Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)태양전지J-V특성곡선진행료측시화분석,채용Matlab연건진행계산,득도전지적이겁관품질인자、반향포화전류밀도、천련전조、병련전조등특성삼수.채용수치핍근법,장득도적삼수회귀J-V방정,여측시결과부합교호.대불동광조강도하전지적특성삼수진행계산,발현병련전조수광조강도증가이강저,병분석료원인.
