半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
5期
446-448,458
,共4页
王云彪%赵权%牛沈军%吕菲%杨洪星
王雲彪%趙權%牛瀋軍%呂菲%楊洪星
왕운표%조권%우침군%려비%양홍성
发光二极管%表面颗粒度%金属离子浓度%表面粗糙度
髮光二極管%錶麵顆粒度%金屬離子濃度%錶麵粗糙度
발광이겁관%표면과립도%금속리자농도%표면조조도
伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大.研究了一种有效的直径5.08 cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声温法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面.表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3 μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8 nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2 nm厚表面氧化层.
伴隨著LED照明產業的迅猛髮展,高質量的GaAs拋光片需求量日益增大.研究瞭一種有效的直徑5.08 cm低阻GaAs免洗拋光片的清洗技術,採用異丙醇低溫超聲去蠟結閤兆聲溫法清洗工藝,使晶片錶麵達到瞭低錶麵顆粒度、極低錶麵金屬離子濃度,併形成瞭較薄的富As氧化層錶麵.錶麵顆粒度通過Tencor6220測試大于0.3 μm的顆粒少于10箇,通過TXRF測試錶麵金屬離子箇數均控製在9×1010/cm2以內;通過檯階儀測量錶麵粗糙度為0.8 nm,通過偏振光橢圓率測量儀測得均一的2 nm厚錶麵氧化層.
반수착LED조명산업적신맹발전,고질량적GaAs포광편수구량일익증대.연구료일충유효적직경5.08 cm저조GaAs면세포광편적청세기술,채용이병순저온초성거사결합조성온법청세공예,사정편표면체도료저표면과립도、겁저표면금속리자농도,병형성료교박적부As양화층표면.표면과립도통과Tencor6220측시대우0.3 μm적과립소우10개,통과TXRF측시표면금속리자개수균공제재9×1010/cm2이내;통과태계의측량표면조조도위0.8 nm,통과편진광타원솔측량의측득균일적2 nm후표면양화층.
