半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
5期
494-497
,共4页
黄雒光%董四华%刘英坤%郎秀兰
黃雒光%董四華%劉英坤%郎秀蘭
황락광%동사화%류영곤%랑수란
硅微波脉冲功率晶体管%加速老化%可靠性%寿命试验%Arrhenius模型
硅微波脈遲功率晶體管%加速老化%可靠性%壽命試驗%Arrhenius模型
규미파맥충공솔정체관%가속노화%가고성%수명시험%Arrhenius모형
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算.推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25 ℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106 h.
Si微波功率器件應用十分廣汎,其可靠性直接影響使用設備的性能.以L波段Si微波脈遲功率晶體管為例,提齣瞭一種基于Arrhenius模型的Si微波功率晶體管可靠性壽命評價方案.採用L波段Si微波脈遲功率晶體管在射頻脈遲工作條件下(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)進行瞭殼溫為200℃的高溫加速老化試驗,應用Arrhenius模型對試驗結果進行瞭分析和計算.推導得齣瞭L波段Si微波脈遲功率晶體管在室溫(25 ℃)工作條件下的平均壽命為6.2×106 h.
Si미파공솔기건응용십분엄범,기가고성직접영향사용설비적성능.이L파단Si미파맥충공솔정체관위례,제출료일충기우Arrhenius모형적Si미파공솔정체관가고성수명평개방안.채용L파단Si미파맥충공솔정체관재사빈맥충공작조건하(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)진행료각온위200℃적고온가속노화시험,응용Arrhenius모형대시험결과진행료분석화계산.추도득출료L파단Si미파맥충공솔정체관재실온(25 ℃)공작조건하적평균수명위6.2×106 h.
