半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
6期
501-504
,共4页
微通道板%腐蚀%芯料%质量损失
微通道闆%腐蝕%芯料%質量損失
미통도판%부식%심료%질량손실
根据微通道板芯皮料玻璃的性质,选择了腐蚀工艺的腐蚀液,即HCl和NaOH溶液.利用真空压差法和显微镜形貌分析法,检测和分析了微通道板腐蚀工艺中通道的腐蚀进程.在腐蚀过程中,利用测量微通道板质量损失法衡量了腐蚀的程度,并检查了腐蚀效果.依据实验结果分析,提出了有效的微通道板酸-碱-酸交替腐蚀工艺以及具体的工艺参数.采用此工艺,可使芯料和芯皮料扩散层被完全腐蚀,同时避免了皮料被腐蚀,得到了光滑的通道壁,形成稳定的二次电子发射层.
根據微通道闆芯皮料玻璃的性質,選擇瞭腐蝕工藝的腐蝕液,即HCl和NaOH溶液.利用真空壓差法和顯微鏡形貌分析法,檢測和分析瞭微通道闆腐蝕工藝中通道的腐蝕進程.在腐蝕過程中,利用測量微通道闆質量損失法衡量瞭腐蝕的程度,併檢查瞭腐蝕效果.依據實驗結果分析,提齣瞭有效的微通道闆痠-堿-痠交替腐蝕工藝以及具體的工藝參數.採用此工藝,可使芯料和芯皮料擴散層被完全腐蝕,同時避免瞭皮料被腐蝕,得到瞭光滑的通道壁,形成穩定的二次電子髮射層.
근거미통도판심피료파리적성질,선택료부식공예적부식액,즉HCl화NaOH용액.이용진공압차법화현미경형모분석법,검측화분석료미통도판부식공예중통도적부식진정.재부식과정중,이용측량미통도판질량손실법형량료부식적정도,병검사료부식효과.의거실험결과분석,제출료유효적미통도판산-감-산교체부식공예이급구체적공예삼수.채용차공예,가사심료화심피료확산층피완전부식,동시피면료피료피부식,득도료광활적통도벽,형성은정적이차전자발사층.
