半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
3期
272-274
,共3页
胡志富%王生国%何大伟%蔡树军
鬍誌富%王生國%何大偉%蔡樹軍
호지부%왕생국%하대위%채수군
通孔%模型%IC-CAP
通孔%模型%IC-CAP
통공%모형%IC-CAP
分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数.发现对截圆锥结构的通孔,用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36%.设计了一个14-18 GHz、增益大于17 dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路,验证了模型的准确性.
分析瞭理論公式在計算截圓錐通孔電感中的跼限性.設計瞭頻率在20 GHz以下GaAs基微波單片電路中通孔的專門測試結構併建立瞭其對應的等效電路,用去嵌入寄生參數的方法和安捷倫公司標準的IC-CAP建模繫統提取瞭通孔的模型參數.髮現對截圓錐結構的通孔,用公式計算齣來的通孔的電感值比實驗的結果大36%.設計瞭一箇14-18 GHz、增益大于17 dB、輸齣功率為1W的GaAs基微波單片電路,驗證瞭模型的準確性.
분석료이론공식재계산절원추통공전감중적국한성.설계료빈솔재20 GHz이하GaAs기미파단편전로중통공적전문측시결구병건립료기대응적등효전로,용거감입기생삼수적방법화안첩륜공사표준적IC-CAP건모계통제취료통공적모형삼수.발현대절원추결구적통공,용공식계산출래적통공적전감치비실험적결과대36%.설계료일개14-18 GHz、증익대우17 dB、수출공솔위1W적GaAs기미파단편전로,험증료모형적준학성.
