发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
2期
299-303
,共5页
苏剑峰%姚然%钟泽%傅竹西
囌劍峰%姚然%鐘澤%傅竹西
소검봉%요연%종택%부죽서
金属有机化学气相沉积%射频辅助%N离化%N-Al共掺杂
金屬有機化學氣相沉積%射頻輔助%N離化%N-Al共摻雜
금속유궤화학기상침적%사빈보조%N리화%N-Al공참잡
在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究.通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比.实验结果表明, N掺杂的浓度高达1020 cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用.
在MOCVD設備中採用改進的射頻輔助生長裝置,通過裂解N2及N-Al共摻雜的方法進行ZnO的p型摻雜研究.通過二次離子質譜(SIMS)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、光緻髮光(PL)譜等方法分析瞭薄膜中N雜質的濃度,以及射頻功率與晶體質量、錶麵形貌以及光學特性之間的關繫,併與Al摻雜和N摻雜的ZnO薄膜進行對比.實驗結果錶明, N摻雜的濃度高達1020 cm-3;N-Al共摻雜極大地增加瞭ZnO的成覈速率,其主要原因是N離化所起的作用;N-Al共摻的ZnO薄膜顯示齣p型性質,而N摻雜的ZnO薄膜由于N原子處于非激活狀態而呈現高阻,這說明N-Al共摻雜對ZnO中N原子的活化起到一定作用.
재MOCVD설비중채용개진적사빈보조생장장치,통과렬해N2급N-Al공참잡적방법진행ZnO적p형참잡연구.통과이차리자질보(SIMS)、X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)、광치발광(PL)보등방법분석료박막중N잡질적농도,이급사빈공솔여정체질량、표면형모이급광학특성지간적관계,병여Al참잡화N참잡적ZnO박막진행대비.실험결과표명, N참잡적농도고체1020 cm-3;N-Al공참잡겁대지증가료ZnO적성핵속솔,기주요원인시N리화소기적작용;N-Al공참적ZnO박막현시출p형성질,이N참잡적ZnO박막유우N원자처우비격활상태이정현고조,저설명N-Al공참잡대ZnO중N원자적활화기도일정작용.
