摩擦学学报
摩抆學學報
마찰학학보
TRIBOLOGY
2008年
4期
366-371
,共6页
张伟%路新春%刘宇宏%潘国顺%雒建斌
張偉%路新春%劉宇宏%潘國順%雒建斌
장위%로신춘%류우굉%반국순%락건빈
化学机械抛光%动电位极化扫描%氨基乙酸%腐蚀坑
化學機械拋光%動電位極化掃描%氨基乙痠%腐蝕坑
화학궤계포광%동전위겁화소묘%안기을산%부식갱
在CP-4型CMP试验机上采用5μm厚的铜镀层片研究了氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光行为,分别采用Sartorius 1712MP8型电子天平和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪检测抛光去除率和抛光后表面粗糙度,用CHI660A型电化学工作站的动电位极化扫描技术和PHI-5300ESCA型X射线光电子能谱仪分析抛光液中氧化剂和络合剂等化学组分对铜的作用机制.结果表明,由于氧化剂H2O2对铜的氧化作用使得氨基乙酸对铜的络合速率从1.4 nm/min提高到47 nm/min,进而提高了铜的化学机械抛光去除率.当抛光压力≤10.35 kPa时,抛光后铜表面出现腐蚀坑,腐蚀坑面积比率随抛光过程相对运动速度的增大而减小;当抛光压力≥17.25 kPa时,铜表面腐蚀坑消失,在相对运动速度≥1 m/s条件下,表面粗糙度为3~5 nm;当抛光压力6.9 kPa,在相对运动速度≤1 m/s条件下,随着相对运动速度增大,机械作用增强,抛光去除率增大;当相对运动速度1 m/s时,抛光界面区抛光液润滑效应增强,抛光去除率有所降低,化学机械抛光过程中这一临界相对运动速度为1 m/s.
在CP-4型CMP試驗機上採用5μm厚的銅鍍層片研究瞭氨基乙痠-H2O2體繫拋光液中銅的化學機械拋光行為,分彆採用Sartorius 1712MP8型電子天平和WYKO MHT-Ⅲ型光榦涉錶麵形貌儀檢測拋光去除率和拋光後錶麵粗糙度,用CHI660A型電化學工作站的動電位極化掃描技術和PHI-5300ESCA型X射線光電子能譜儀分析拋光液中氧化劑和絡閤劑等化學組分對銅的作用機製.結果錶明,由于氧化劑H2O2對銅的氧化作用使得氨基乙痠對銅的絡閤速率從1.4 nm/min提高到47 nm/min,進而提高瞭銅的化學機械拋光去除率.噹拋光壓力≤10.35 kPa時,拋光後銅錶麵齣現腐蝕坑,腐蝕坑麵積比率隨拋光過程相對運動速度的增大而減小;噹拋光壓力≥17.25 kPa時,銅錶麵腐蝕坑消失,在相對運動速度≥1 m/s條件下,錶麵粗糙度為3~5 nm;噹拋光壓力6.9 kPa,在相對運動速度≤1 m/s條件下,隨著相對運動速度增大,機械作用增彊,拋光去除率增大;噹相對運動速度1 m/s時,拋光界麵區拋光液潤滑效應增彊,拋光去除率有所降低,化學機械拋光過程中這一臨界相對運動速度為1 m/s.
재CP-4형CMP시험궤상채용5μm후적동도층편연구료안기을산-H2O2체계포광액중동적화학궤계포광행위,분별채용Sartorius 1712MP8형전자천평화WYKO MHT-Ⅲ형광간섭표면형모의검측포광거제솔화포광후표면조조도,용CHI660A형전화학공작참적동전위겁화소묘기술화PHI-5300ESCA형X사선광전자능보의분석포광액중양화제화락합제등화학조분대동적작용궤제.결과표명,유우양화제H2O2대동적양화작용사득안기을산대동적락합속솔종1.4 nm/min제고도47 nm/min,진이제고료동적화학궤계포광거제솔.당포광압력≤10.35 kPa시,포광후동표면출현부식갱,부식갱면적비솔수포광과정상대운동속도적증대이감소;당포광압력≥17.25 kPa시,동표면부식갱소실,재상대운동속도≥1 m/s조건하,표면조조도위3~5 nm;당포광압력6.9 kPa,재상대운동속도≤1 m/s조건하,수착상대운동속도증대,궤계작용증강,포광거제솔증대;당상대운동속도1 m/s시,포광계면구포광액윤활효응증강,포광거제솔유소강저,화학궤계포광과정중저일림계상대운동속도위1 m/s.