真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
4期
405-408
,共4页
Ag-ZnS复合薄膜%射频磁控溅射%微结构%电学特性
Ag-ZnS複閤薄膜%射頻磁控濺射%微結構%電學特性
Ag-ZnS복합박막%사빈자공천사%미결구%전학특성
通过控制射频磁控溅射时间(5,10和15 min)和Ag组分制备了三种厚度、四种Ag体积百分比(5%,10%,15%和20%)的Ag-ZnS复合薄膜.微结构研究表明:较低Ag组分(5%,10%和15%)的薄膜表现为β相ZnS体心立方晶体的(220)择优取向结构,未出现Ag的衍射特征峰;Ag体积分数为20%的复合薄膜同时出现了Ag(111)和ZnS(220)的衍射峰,但峰强度明显降低.分析认为:较低Ag组分薄膜中的Ag成分有助于ZnS结晶或晶体长大,但较高Ag组分薄膜中的Ag对ZnS的结晶起到抑制作用.电学特性研究表明:较低Ag组分复合薄膜导电机制为介质状态;而20%Ag的复合薄膜导电机制为过渡状态,以Ag金属颗粒联并而成的网络结构中的渗透电导为主.
通過控製射頻磁控濺射時間(5,10和15 min)和Ag組分製備瞭三種厚度、四種Ag體積百分比(5%,10%,15%和20%)的Ag-ZnS複閤薄膜.微結構研究錶明:較低Ag組分(5%,10%和15%)的薄膜錶現為β相ZnS體心立方晶體的(220)擇優取嚮結構,未齣現Ag的衍射特徵峰;Ag體積分數為20%的複閤薄膜同時齣現瞭Ag(111)和ZnS(220)的衍射峰,但峰彊度明顯降低.分析認為:較低Ag組分薄膜中的Ag成分有助于ZnS結晶或晶體長大,但較高Ag組分薄膜中的Ag對ZnS的結晶起到抑製作用.電學特性研究錶明:較低Ag組分複閤薄膜導電機製為介質狀態;而20%Ag的複閤薄膜導電機製為過渡狀態,以Ag金屬顆粒聯併而成的網絡結構中的滲透電導為主.
통과공제사빈자공천사시간(5,10화15 min)화Ag조분제비료삼충후도、사충Ag체적백분비(5%,10%,15%화20%)적Ag-ZnS복합박막.미결구연구표명:교저Ag조분(5%,10%화15%)적박막표현위β상ZnS체심립방정체적(220)택우취향결구,미출현Ag적연사특정봉;Ag체적분수위20%적복합박막동시출현료Ag(111)화ZnS(220)적연사봉,단봉강도명현강저.분석인위:교저Ag조분박막중적Ag성분유조우ZnS결정혹정체장대,단교고Ag조분박막중적Ag대ZnS적결정기도억제작용.전학특성연구표명:교저Ag조분복합박막도전궤제위개질상태;이20%Ag적복합박막도전궤제위과도상태,이Ag금속과립련병이성적망락결구중적삼투전도위주.
