中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2013年
10期
822-829
,共8页
超短沟道%寄生电容%高k材料%半解析模型
超短溝道%寄生電容%高k材料%半解析模型
초단구도%기생전용%고k재료%반해석모형
short channel%parasitic capacitance%high k dielectric%semi-analytical model
寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式.研究结果表明,减小源/漏区尺寸和栅极厚度可以减小寄生电容,沟道长度的变化对寄生电容几乎没有影响,栅介电常数的增加会使边缘电容减小.模型求解时精度高、运算量小,可直接用于电路模拟程序和器件设计.
寄生電容不隨器件呎吋的減小而成比例減小,因此對小呎吋器件寄生電容的研究就更有意義.本文首次用矩形等效源建立瞭MOSFET電勢分佈二維半解析模型,綜閤半解析法和特徵函數展開法求齣二維電勢分佈函數,併由此得齣寄生電容的解析錶達式.研究結果錶明,減小源/漏區呎吋和柵極厚度可以減小寄生電容,溝道長度的變化對寄生電容幾乎沒有影響,柵介電常數的增加會使邊緣電容減小.模型求解時精度高、運算量小,可直接用于電路模擬程序和器件設計.
기생전용불수기건척촌적감소이성비례감소,인차대소척촌기건기생전용적연구취경유의의.본문수차용구형등효원건립료MOSFET전세분포이유반해석모형,종합반해석법화특정함수전개법구출이유전세분포함수,병유차득출기생전용적해석표체식.연구결과표명,감소원/루구척촌화책겁후도가이감소기생전용,구도장도적변화대기생전용궤호몰유영향,책개전상수적증가회사변연전용감소.모형구해시정도고、운산량소,가직접용우전로모의정서화기건설계.
