光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2012年
8期
105-110
,共6页
罗建东%周彬%吕文峰%雷耀虎%郭金川%牛憨笨
囉建東%週彬%呂文峰%雷耀虎%郭金川%牛憨笨
라건동%주빈%려문봉%뢰요호%곽금천%우감분
硅%热氧化%高深宽比%热膨胀系数%热塑性形变
硅%熱氧化%高深寬比%熱膨脹繫數%熱塑性形變
규%열양화%고심관비%열팽창계수%열소성형변
利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺.热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响了这些器件的应用.本文以5英寸硅片为例,研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题,定性分析了产生形变的力学因素,提出了减小形变的氧化方法.首先实验制作了具有高深宽比微结构的硅片,采用不同的氧化方法,比较了变形的大小.结果表明,通过控制热氧化过程中的温度来控制热膨胀系数和在热氧化过程中施加外部热塑应力等方法能够有效地减小热氧化变形量.
利用大麵積硅片製作X射線光柵和硅基微通道闆等都涉及硅的熱氧化工藝.熱氧化使具有高深寬比微結構的大麵積硅片產生形變,嚴重影響瞭這些器件的應用.本文以5英吋硅片為例,研究瞭硅基微結構在熱氧化過程中的變形問題,定性分析瞭產生形變的力學因素,提齣瞭減小形變的氧化方法.首先實驗製作瞭具有高深寬比微結構的硅片,採用不同的氧化方法,比較瞭變形的大小.結果錶明,通過控製熱氧化過程中的溫度來控製熱膨脹繫數和在熱氧化過程中施加外部熱塑應力等方法能夠有效地減小熱氧化變形量.
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