MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
MOCVD법제비린참잡p형ZnO박막
Growth of Phosphorus-Doped p-Type ZnO Thin Films by MOCVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 1期 91-95 ,共5页

    周新翠%叶志镇%陈福刚%徐伟中%缪燕%黄靖云%吕建国%朱丽萍%赵炳辉

    주신취%협지진%진복강%서위중%무연%황정운%려건국%주려평%조병휘

    p-ZnO%金属有机化学气相沉积%磷掺杂 p-ZnO%金屬有機化學氣相沉積%燐摻雜
    p-ZnO%금속유궤화학기상침적%린참잡
    利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.
    이용금속유궤화학기상침적방법재파리츤저상생장료참린적p형ZnO박막.실험채용이을기자작위자원,고순양기화오양화이린분말분별작위양원급린참잡원.실험표명:생장온도위400～450℃시획득료p형ZnO박막,이차재420℃시,기전학성능최호,공혈농도위1.61×1018cm-3,전조솔위4.64Ω·cm,천이솔위0.838cm2/(V·s).곽이측시화저온광치발광보증실료해ZnO박막적p형도전특성,병관찰도박막위우3.354eV여중성수주속박격자상관적발사봉.
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