空军雷达学院学报
空軍雷達學院學報
공군뢰체학원학보
JOURNAL OF AIR FORCE RADAR ACADEMY
2006年
4期
279-281,284
,共4页
BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜%铁电性能%电流-电压特性%脉冲准分子激光沉积
BIT/PLZT/BIT多層鐵電薄膜%鐵電性能%電流-電壓特性%脈遲準分子激光沉積
BIT/PLZT/BIT다층철전박막%철전성능%전류-전압특성%맥충준분자격광침적
为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础.
為瞭有效阻止鋯鈦痠鉛鑭(PLZT)與半導體界麵髮生反應和互擴散,根據鋯鈦痠鉛鑭和鈦痠鉍(BIT)各自的鐵電性能,採用脈遲準分子激光澱積(PLD)方法製備瞭BIT/PLZT/BIT多層結構鐵電薄膜,測量和分析瞭它的I-V特性麯線.結果錶明,這種結構吸收瞭鋯鈦痠鉛鑭和鈦痠鉍的優點,提高瞭鐵電薄膜的鐵電性能,為進一步研究薄膜的存儲特性提供瞭基礎.
위료유효조지고태산연란(PLZT)여반도체계면발생반응화호확산,근거고태산연란화태산필(BIT)각자적철전성능,채용맥충준분자격광정적(PLD)방법제비료BIT/PLZT/BIT다층결구철전박막,측량화분석료타적I-V특성곡선.결과표명,저충결구흡수료고태산연란화태산필적우점,제고료철전박막적철전성능,위진일보연구박막적존저특성제공료기출.
