发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
6期
971-975
,共5页
隋妍萍%于广辉%孟胜%雷本亮%王笑龙%王新中%齐鸣
隋妍萍%于廣輝%孟勝%雷本亮%王笑龍%王新中%齊鳴
수연평%우엄휘%맹성%뢰본량%왕소룡%왕신중%제명
分子束外延%Ⅲ/Ⅴ比%PL谱%黄带发光
分子束外延%Ⅲ/Ⅴ比%PL譜%黃帶髮光
분자속외연%Ⅲ/Ⅴ비%PL보%황대발광
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF plasma-assisted MBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析.结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关.
採用射頻等離子體輔助分子束外延(RF plasma-assisted MBE)繫統生長非故意摻雜GaN和p型GaN,併且通過室溫和低溫光緻髮光(PL)譜測試研究瞭材料的髮光特性及與雜質態的關繫,對于GaN外延層齣現的黃帶髮光進行分析.結果錶明,富Ga條件下生長的GaN材料特性要優于富N生長的材料;非故意摻雜的富Ga樣品中齣現的黃帶髮光(YL)與GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有關;不同的Mg摻雜濃度對樣品的PL特性有較大的影響;結閤Hall效應測量結果,認為在Mg重摻雜的樣品中齣現的黃帶髮光,與GaN的自補償效應以及重摻雜導緻的晶體質量下降有關.
채용사빈등리자체보조분자속외연(RF plasma-assisted MBE)계통생장비고의참잡GaN화p형GaN,병차통과실온화저온광치발광(PL)보측시연구료재료적발광특성급여잡질태적관계,대우GaN외연층출현적황대발광진행분석.결과표명,부Ga조건하생장적GaN재료특성요우우부N생장적재료;비고의참잡적부Ga양품중출현적황대발광(YL)여GaN중생성능최저적담공위(VN)결함유관;불동적Mg참잡농도대양품적PL특성유교대적영향;결합Hall효응측량결과,인위재Mg중참잡적양품중출현적황대발광,여GaN적자보상효응이급중참잡도치적정체질량하강유관.
