半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
2期
195-197,244
,共4页
娄双玲%于军胜%黎威志%李璐%林慧%蒋亚东
婁雙玲%于軍勝%黎威誌%李璐%林慧%蔣亞東
루쌍령%우군성%려위지%리로%림혜%장아동
有机电致发光器件%TPD%Alq3%器件性能
有機電緻髮光器件%TPD%Alq3%器件性能
유궤전치발광기건%TPD%Alq3%기건성능
以TPD为空穴传输层,Alq3为发光层兼做电子传输层,用真空蒸镀方法制备了双层结构ITO/TPD/Alq3/Mg∶Ag器件,并系统地研究了发光层厚度对器件发光性能的影响.通过固定TPD厚度为40 nm,Alq3层厚度x分别为20,30,40,50,60和70 nm,共制备了六种结构的器件.结果表明,器件电流随着x的增大而减小,启亮电压随着x的增加而增大,而器件亮度和流明效率随着x的增大先增大再减小;x=40 nm的器件在15 V电压下具有最大亮度值13 750 cd/m2,在5 V电压下具有最大流明效率值0.862 lm/W.
以TPD為空穴傳輸層,Alq3為髮光層兼做電子傳輸層,用真空蒸鍍方法製備瞭雙層結構ITO/TPD/Alq3/Mg∶Ag器件,併繫統地研究瞭髮光層厚度對器件髮光性能的影響.通過固定TPD厚度為40 nm,Alq3層厚度x分彆為20,30,40,50,60和70 nm,共製備瞭六種結構的器件.結果錶明,器件電流隨著x的增大而減小,啟亮電壓隨著x的增加而增大,而器件亮度和流明效率隨著x的增大先增大再減小;x=40 nm的器件在15 V電壓下具有最大亮度值13 750 cd/m2,在5 V電壓下具有最大流明效率值0.862 lm/W.
이TPD위공혈전수층,Alq3위발광층겸주전자전수층,용진공증도방법제비료쌍층결구ITO/TPD/Alq3/Mg∶Ag기건,병계통지연구료발광층후도대기건발광성능적영향.통과고정TPD후도위40 nm,Alq3층후도x분별위20,30,40,50,60화70 nm,공제비료륙충결구적기건.결과표명,기건전류수착x적증대이감소,계량전압수착x적증가이증대,이기건량도화류명효솔수착x적증대선증대재감소;x=40 nm적기건재15 V전압하구유최대량도치13 750 cd/m2,재5 V전압하구유최대류명효솔치0.862 lm/W.
