半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
204-208
,共5页
董志远%赵有文%魏学成%李晋闽
董誌遠%趙有文%魏學成%李晉閩
동지원%조유문%위학성%리진민
AlN%物理气相传输法%缺陷
AlN%物理氣相傳輸法%缺陷
AlN%물리기상전수법%결함
利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.
利用物理氣相傳輸法生長瞭直徑40～50 mm、厚約8～10 mm的AlN多晶錠,最大晶粒呎吋為5 mm.用喇曼散射和陰極熒光譜研究瞭AlN晶體的結晶質量、缺陷和結構特性.分析瞭不同溫度下AlN晶體的導電特性,併確定在AlN晶體中存在一箇激活能約為0.98eV的深能級缺陷.結閤這些結果分析瞭PVT法生長條件對AlN體單晶生長和晶體質量的影響.
이용물리기상전수법생장료직경40～50 mm、후약8～10 mm적AlN다정정,최대정립척촌위5 mm.용나만산사화음겁형광보연구료AlN정체적결정질량、결함화결구특성.분석료불동온도하AlN정체적도전특성,병학정재AlN정체중존재일개격활능약위0.98eV적심능급결함.결합저사결과분석료PVT법생장조건대AlN체단정생장화정체질량적영향.
