CAJ | 학술논문

万方数据

光电子·激光 광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年 4期 422-424 ,共3页

牛南辉%王怀兵%刘建平%刘乃鑫%邢燕辉%韩军%邓军%沈光地

우남휘%왕부병%류건평%류내흠%형연휘%한군%산군%침광지

InGaN/GaN多量子阱(MQW)%光致发光(PL)%电致发光(EL)%X射线双晶衍射(DCXRD)%金属有机物化学气相淀积(MOCVD) InGaN/GaN多量子阱(MQW)%光緻髮光(PL)%電緻髮光(EL)%X射線雙晶衍射(DCXRD)%金屬有機物化學氣相澱積(MOCVD)
InGaN/GaN다양자정(MQW)%광치발광(PL)%전치발광(EL)%X사선쌍정연사(DCXRD)%금속유궤물화학기상정적(MOCVD)

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降.
이용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)생장료InGaN/GaN다양자정(MQWs)결구,연구료생장정돈대InGaN/GaN MQWs특성적영향.결과표명,채용생장정돈,가이개선MQWs계면질량,제고MQWs적광치발광(PL)여전치발광(EL)강도;단생장정돈적시간과장,정적후도회변박,계면질량변차,불부In조분변저,부In적발광중심감소,이차회인입잡질,치사EL강도하강.