半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
5期
425-427,445
,共4页
李佳%张万荣%谢红云%张蔚%沈佩%甘军宁
李佳%張萬榮%謝紅雲%張蔚%瀋珮%甘軍寧
리가%장만영%사홍운%장위%침패%감군저
硅锗异质结双极型晶体管%低噪声放大器%IEEE802.11a
硅鍺異質結雙極型晶體管%低譟聲放大器%IEEE802.11a
규타이질결쌍겁형정체관%저조성방대기%IEEE802.11a
基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好.
基于IEEE802.11a標準描述瞭一款SiGe HBT低譟聲放大器(LNA)的設計.為適應該標準的要求,給齣瞭譟聲、功率增益及穩定性的優化方法.選用SiGe HBTs作為有源元件,採用T型輸入、輸齣匹配網絡設計瞭電路,併用安捷倫ADS-2006A軟件對譟聲繫數、增益等各項指標進行瞭倣真.最終在頻率為5.2 GHz下,LNA譟聲繫數F為1.5 dB,增益S21達到12.6 dB,輸入、輸齣反射繫數S11和|S22較好,在工作頻帶內小于-10 dB,LNA性能良好.
기우IEEE802.11a표준묘술료일관SiGe HBT저조성방대기(LNA)적설계.위괄응해표준적요구,급출료조성、공솔증익급은정성적우화방법.선용SiGe HBTs작위유원원건,채용T형수입、수출필배망락설계료전로,병용안첩륜ADS-2006A연건대조성계수、증익등각항지표진행료방진.최종재빈솔위5.2 GHz하,LNA조성계수F위1.5 dB,증익S21체도12.6 dB,수입、수출반사계수S11화|S22교호,재공작빈대내소우-10 dB,LNA성능량호.
